[发明专利]LDMOS晶体管和方法有效
| 申请号： | 201710485655.6 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107546272B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | A.比尔纳;H.布雷赫;M.齐格尔德伦 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/528;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及LDMOS晶体管和方法。在一个实施例中，一种半导体设备包括：具有前表面的半导体衬底，布置在衬底的前表面中并且具有本征源极的LDMOS晶体管，以及贯穿衬底通孔。第一导电层铺衬贯穿衬底通孔的侧壁并且从贯穿衬底通孔延伸到半导体衬底的前表面上并且与本征源极电耦合。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种用于把布置在衬底的第一表面处的晶体管结构的电极电耦合到布置在与第一表面相对的衬底的第二表面处的导电层的方法，所述方法包括：在衬底中形成邻近晶体管结构的盲通孔；把第一导电层沉积到盲通孔的侧壁和第二导电层的区段上，所述第二导电层布置在衬底的第一表面上邻近盲通孔并且耦合到晶体管结构的电极；对衬底的第二表面进行加工从而暴露出第一导电层的一部分；以及把第三导电层沉积到衬底的第二表面和第一导电层的所述部分上，以便把第三导电层与晶体管结构的电极电耦合。
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