[发明专利]薄膜晶体管输出特性模型修正方法有效
| 申请号： | 201710485895.6 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107391802B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 王明湘;韩志远 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 冯瑞 |
| 地址： | 215000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明具体涉及一种薄膜晶体管输出特性模型修正方法，为了提供一种同一拟合常数适合于多个不同栅极电压V |
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| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 输出 特性 模型 修正 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管输出特性模型修正方法，当薄膜晶体管工作在饱和区时，对漏极电流进行修正，其特征在于，所述方法具体包括：通过将模型计算数据和实验测量数据进行拟合，以确定适用于薄膜晶体管一组不同栅极电压Vgs条件下输出特性的同一拟合常数α；采用如下修正公式确定修正后的漏极电流，Id*=(1+αVgsVdeff)Id]]>其中，Vdeff为有效漏极电压，Vdeff＝VD‑Vdsat，VD为漏极电压，Vdsat为过饱和电压；Id为适用于线性区的未加修正的漏极电流模型所求得的电流。
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