[发明专利]一种光刻胶剥离液在审
| 申请号： | 201710488370.8 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107085357A | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 刘江华 | 申请（专利权）人： | 昆山欣谷微电子材料有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光刻胶剥离液，包括特征性有机胺、辅助性有机胺、极性有机溶剂、腐蚀抑制剂，主要针对当前的光刻胶剥离液操作窗口小，对晶圆基底腐蚀性较强，特别是对深度硬化交联的光刻胶残余物以及负型厚膜光刻胶去除能力较弱等问题，提供一种去胶能力强，操作窗口大，不腐蚀晶圆基底的光刻胶剥离液。本发明的光刻胶剥离液能够非常有效的去LED芯片和半导体晶圆上的光刻胶和光刻胶残余物，尤其对于去除深度硬化交联的光刻胶残余物和厚膜负性光刻胶具有较强的去除能力。同时不腐蚀晶圆基底材料，操作窗口较大，使用寿命较长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 剥离 | ||
【主权项】：
一种光刻胶剥离液，包括特征性有机胺、辅助性有机胺、极性有机溶剂、腐蚀抑制剂，其特征在于各组份质量百分比含量为：特征性有机胺1‑75%、辅助性有机胺0‑60%、极性有机溶剂20‑90%、腐蚀抑制剂0.01‑10%。
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