[发明专利]一种适用于大功率半导体器件的结终端及其制备方法在审
| 申请号： | 201710488910.2 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109148554A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陆宇 | 申请（专利权）人： | 上海卓弘微系统科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201399 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种适用于功率器件的结终端及其制备方法，所述结终端包括半导体基底、第一电极、半导体区域、第二电极。第一电极形成于半导体基底的下端面；半导体区域形成于半导体基底的上端面，其具有第一导电类型，半导体区域包括有源区域、第一终端区域、第二终端区域、第三终端区域。第二电极连接有源区域、第一终端区域和第二终端区域沟槽内半导体材料，以及有源区域的台面。本发明结终端可改善结终端器件耐高压特性。 | ||
| 搜索关键词： | 终端区域 结终端 半导体基底 半导体区域 源区域 第二电极 第一电极 制备 大功率半导体器件 半导体材料 第一导电类型 耐高压特性 功率器件 上端面 下端面 台面 | ||
【主权项】：
1.一种适用于电荷耦合器件的结终端，其特征在于，所述结终端包括：半导体基底；第一电极，形成于所述半导体基底的下端面；半导体区域，形成于所述半导体基底的上端面，其具有第一导电类型，所述半导体区域包括：有源区域，设有多个第一沟槽，第一沟槽侧壁及底部填充介质材料，内部填充半导体材料；第一终端区域，设有至少两个第二沟槽，第二沟槽侧壁及底部填充介质材料，内部填充半导体材料；第二终端区域，设有多个第三沟槽，第三沟槽侧壁及底部填充介质材料，内部填充半导体材料；第三终端区域，设有一个第四沟槽，第四沟槽侧壁及底部填充介质材料，内部填充半导体材料，其内半导体材料和第三终端区内与第二终端区相邻的台面相连；第二电极，其连接有源区域、第一终端区域和第二终端区域沟槽内半导体材料，以及有源区域的台面。
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