[发明专利]电阻式随机存取存储器有效
| 申请号： | 201710492518.5 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107591479B | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 陈达 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 郭晓宇;汤在彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻式随机存取存储器，包括：一底电极；多个存储器堆叠，分别形成于底电极上；一第三氧气扩散阻隔层，形成于这些存储器堆叠之间；以及一顶电极，形成于这些存储器堆叠和第三氧气扩散阻隔层上。其中，每一个这些存储器堆叠包括：一电阻转换层，形成于底电极上；一第一氧气扩散阻隔层，形成于电阻转换层上；一导电氧气储存层，形成于第一氧气扩散阻隔层上；以及一第二氧气扩散阻隔层，形成于导电氧气储存层上。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
一种电阻式随机存取存储器，其特征在于，包括：一底电极；多个存储器堆叠，分别形成于该底电极上，其中每一个该些存储器堆叠包括：一电阻转换层，形成于该底电极上；一第一氧气扩散阻隔层，形成于该电阻转换层上；一导电氧气储存层，形成于该第一氧气扩散阻隔层上；以及一第二氧气扩散阻隔层，形成于该导电氧气储存层上；一第三氧气扩散阻隔层，形成于该些存储器堆叠之间；以及一顶电极，形成于该些存储器堆叠和该第三氧气扩散阻隔层上。
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