[发明专利]一种降低金刚线切割的多晶硅片反射率的金属催化制绒方法

摘要

一种降低金刚线切割的多晶硅片反射率的金属催化制绒方法。具体步骤将金刚线切割的多晶硅片浸入碱性溶液中处理，蚀刻去除硅片表面的机械损伤层；将经处理后的多晶硅片采用金属催化、化学刻蚀经镀银挖孔一体化处理后在多晶硅片表面形成纳米多孔硅结构；将经过第二步处理过的多晶硅片浸入第二混合液中进行制绒处理，使得硅片表面形成蜂窝状形貌的绒面结构；将上步处理过的多硅晶片置于碱性混合溶液中进行碱洗加脱银；将处理后的多晶硅片依次用酸混合溶液去离子水清洗，最后烘干即可。本发明方法能够消除金刚线切割痕迹，可以有效的将多晶硅制绒表面反射率降低至15%，且与常规制绒工艺具有良好的兼容性，提高太阳能电池的转换效率。

主权项

一种降低金刚线切割的多晶硅片反射率的金属催化制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，将金刚线切割的多晶硅片浸入碱性溶液中处理，蚀刻去除硅片表面的机械损伤层；第二步，将经第一步处理后的多晶硅片置于第一混合液中黑硅处理，所述第一混合液为氢氟酸、双氧水、金属盐、添加剂和去离子水的混合溶液，即采用金属催化、化学刻蚀经镀银挖孔一体化处理后在多晶硅片表面形成纳米多孔硅结构；第三步，将经过第二步处理过的多晶硅片浸入第二混合液中进行制绒处理，所述第二混合液为氢氟酸和硝酸的混合溶液，使得纳米孔洞的孔径达到500‑800nm，使得硅片表面形成蜂窝状形貌的绒面结构；第四步，将经第三步处理过的多硅晶片置于氢氧化钠、氨水和双氧水的碱性混合溶液中进行碱洗加脱银；第五步，将第四步处理后的多晶硅片用酸混合溶液清洗后，再用去离子水清洗，最后烘干即得多晶硅绒面片。