[发明专利]一种封装防溢保护方法在审
| 申请号： | 201710493319.6 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109148307A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陆宇 | 申请（专利权）人： | 上海卓弘微系统科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201399 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种QFN封装防溢保护方法。塑封时，当塑料填充物流到防溢保护膜下边沿处的激光监测点处时，停止塑料填充物的填充，保证引脚金属完整地裸露在外面。可以改变防溢保护膜相对于引脚框架的外延长度以及激光监测点的位置，实现对不同的封装防溢保护的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 防溢 激光监测 保护膜 封装 塑料填充物 塑料填充 引脚框架 下边沿 塑封 物流 引脚 填充 裸露 金属 保证 | ||
【主权项】：
1.一种QFN封装防溢保护方法，塑封时，当塑料填充物流到防溢保护膜的监测点处时，防溢保护监测装置发出信号，停止塑料填充物的填充，保证引脚金属完整地裸露在外面；防溢保护膜相对于引脚框架的外延长度可以改变。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
