[发明专利]防指纹保护薄膜镀膜的制备方法及防指纹保护薄膜镀膜制品在审

专利信息
申请号: 201710495140.4 申请日: 2017-06-26
公开(公告)号: CN107227444A 公开(公告)日: 2017-10-03
发明(设计)人: 潘振强;朱惠钦 申请(专利权)人: 广东振华科技股份有限公司
主分类号: C23C14/26 分类号: C23C14/26;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/12
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司44100 代理人: 曹爱红
地址: 526020 广东省肇庆市端*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及镀膜技术领域,特别涉及防指纹薄膜镀膜方法及防指纹保护薄膜镀膜制品,其具体步骤是(1)将待镀基材进行镀膜前的预清洗处理;(2)在低真空度的条件下,对待镀基材进行表面放电处理;(3)在高真空度条件下,采用磁控溅射方式,基材表面沉积氧化硅或者氧化铝硬质过渡层;(4)采用热蒸发方式,在基材表面生成均匀的防指纹薄膜AF材料;(5)真空室内,防指纹薄膜材料蒸发完成后,关闭热蒸发电源,完成防指纹薄膜的制备流程;(6)真空室恢复大气压后,取出完成防指纹薄膜镀制的产品,进行表面水接触角和耐磨性能测试。该薄膜镀膜方法可以实现大批量产品表面的防指纹薄膜制备,提高设备的生产效率,同时制得的防指纹保护薄膜具有较强的附着力和耐摩擦性能。
搜索关键词: 指纹 保护 薄膜 镀膜 制备 方法 制品
【主权项】:
一种防指纹保护膜镀膜的制备方法,其具体步骤是:(1)将待镀基材进行镀膜前的预清洗处理;(2)将待镀基材放置在真空室内,真空热蒸发用防指纹薄膜AF材料,对真空室进行抽低真空,在真空室低真空度的条件下,开启离子源放电系统,对待镀基材通过离子源放电处理系统,进行表面放电处理;(3)对真空室进行抽高真空,在高真空度条件下,采用磁控溅射溅射氧化硅或者氧化铝靶材,在基材表面沉积氧化硅或者氧化铝硬质过渡层;(4)待镀基材在沉积氧化硅或者氧化铝硬质过渡层后,再采用电阻式热蒸发的形式,蒸发防指纹薄膜AF材料,在基材表面生成均匀的防指纹薄膜AF材料;(5)真空室内,防指纹薄膜AF材料蒸发完成后,关闭热蒸发电源,完成整个防指纹薄膜的制备流程;(6)真空室恢复大气压后,取出完成防指纹薄膜镀制的产品,并进行表面水接触角和耐磨性能测试。
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