[发明专利]一种氮化镓晶圆片边缘处理方法在审
| 申请号： | 201710495263.8 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107123588A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 谢宇 | 申请（专利权）人： | 镓特半导体科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B23K26/142;B23K26/38;B23K26/60 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 唐棉棉 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓晶圆片边缘处理方法，所述处理方法本为采用激光对所述氮化镓晶圆片边缘进行全切(full‑cut)和切边(flat)或者切槽(notch)处理。首先在待处理的氮化镓晶圆片边缘设置预切割图形，然后将所述氮化镓晶圆片置于激光工作台上，调整所述氮化镓晶圆的位置，确定所述氮化镓晶圆表面与激光束垂直，同时可以进行同轴气体吹扫；然后将所述激光束聚焦于所述预切割图形位置进行切割。本发明通过高能量激光对氮化镓晶圆片进行烧蚀，从而实现切割去除边缘部分，该方法具有耗时短，耗材少，维护成本低，效率高，适用于对各种氮化镓晶体进行边缘处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓晶圆片 边缘 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓晶圆片边缘处理方法，其特征在于，所述处理方法为采用激光对所述氮化镓晶圆片边缘进行全切和切边或者切槽处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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