[发明专利]一种还原降解有机污染物的纳米铜阵列阴极及其制备与应用在审
申请号: | 201710496646.7 | 申请日: | 2017-06-26 |
公开(公告)号: | CN107244717A | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 张芳;刘波;陈文锶;李广贺;陆奇;张旭;侯德义 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | C02F1/461 | 分类号: | C02F1/461;C25D3/38;C25D5/34;C25D7/00;C02F101/30 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所61215 | 代理人: | 段俊涛 |
地址: | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种还原降解有机污染物的纳米铜阵列阴极及其制备与应用,在较低的阴极恒电势条件下,通过一步电沉积,在三维立体泡沫铜等基底材料表面负载纳米铜阵列,得到的纳米铜片阵列分布均匀,排布紧密且不易脱落,纳米铜片尺寸长度小于500nm,宽小于100nm,厚度小于10nm;将制备的纳米铜阵列阴极应用在有机污染水处理中,代替了价格昂贵的贵金属钯,在提高有机污染物降解效率的同时,大大降低了电极的制作成本;本发明工艺简单,原材料廉价易得,为放大化规模化生产提供了可能。 | ||
搜索关键词: | 一种 还原 降解 有机 污染物 纳米 阵列 阴极 及其 制备 应用 | ||
【主权项】:
一种还原降解有机污染物的纳米铜阵列阴极,其特征在于,包括基底材料以及负载于基底材料表面的纳米铜片阵列,所述纳米铜片长小于500nm,宽小于100nm,厚小于10nm,纳米片分布均匀,结构稳定。
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