[发明专利]光栅的制备方法有效
| 申请号： | 201710496750.6 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN109116454B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 陈墨;张立辉;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光栅的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板，在所述基板的表面设置一第一光刻胶层，在所述第一光刻胶层远离所述基板的表面设置一第二光刻胶层，该第二光刻胶层的曝光剂量大于第一光刻胶层的曝光剂量；对所述第一光刻胶层和第二光刻胶层进行曝光；对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行显影，形成图案化光刻胶层，基板的部分表面暴露，该图案化光刻胶层的表面具有多个顶面及侧面，每相邻的顶面、侧面及与该侧面连接的暴露的基板表面形成Z型表面；在所述图案化光刻胶层和暴露的基板形成的Z型表面上沉积一预制层，得到Z型结构；去除所述图案化光刻胶层。 | ||
| 搜索关键词： | 光栅 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光栅的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板，在所述基板的表面设置一第一光刻胶层，在所述第一光刻胶层远离所述基板的表面设置一第二光刻胶层，该第二光刻胶层的曝光剂量大于第一光刻胶层的曝光剂量；对所述第一光刻胶层和第二光刻胶层进行曝光；对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行显影，形成图案化光刻胶层，基板的部分表面暴露，该图案化光刻胶层的表面具有多个顶面及侧面，每相邻的顶面、侧面及与该侧面连接的暴露的基板表面形成Z型表面；在所述图案化光刻胶层和暴露的基板形成的Z型表面上沉积一预制层，得到Z型结构；去除所述图案化光刻胶层。
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