[发明专利]声表面波器件的晶圆级扇出型封装结构及其制造方法在审
申请号: | 201710498102.4 | 申请日: | 2017-06-27 |
公开(公告)号: | CN107342746A | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 胡文华 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H03H9/10 | 分类号: | H03H9/10 |
代理公司: | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31313 | 代理人: | 张东梅 |
地址: | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种扇出型封装结构,包括重布线衬底,所述重布线衬底包括设置在所述重布线衬底的第一表面上的第一介质层,所述第一介质层具有用于设置封装焊盘的一个或多个窗口,设置在所述重布线衬底的第二表面上的第二介质层,所述第二介质层具有用于设置连接焊盘的一个或多个窗口,将所述封装焊盘电连接到所述连接焊盘的一层或多层金属布线;框架结构,所述框架结构设置在所述重布线衬底的第二表面上,并在所述重布线衬底的四周形成包围圈,中间部分镂空;以及芯片,所述芯片设置在所述框架结构上,所述框架结构的中间镂空部分的尺寸小于芯片尺寸,所述重布线衬底、所述框架结构以及所述芯片之间形成密闭空腔。 | ||
搜索关键词: | 表面波 器件 晶圆级扇出型 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种扇出型封装结构,包括:重布线衬底,所述重布线衬底包括设置在所述重布线衬底的第一表面上的第一介质层,所述第一介质层具有用于设置封装焊盘的一个或多个窗口,设置在所述重布线衬底的第二表面上的第二介质层,所述第二介质层具有用于设置连接焊盘的一个或多个窗口,将所述封装焊盘电连接到所述连接焊盘的一层或多层金属布线;框架结构,所述框架结构设置在所述重布线衬底的第二表面上,并在所述重布线衬底的四周形成包围圈,中间部分镂空;以及芯片,所述芯片设置在所述框架结构上,所述框架结构的中间镂空部分的尺寸小于芯片尺寸,所述重布线衬底、所述框架结构以及所述芯片之间形成密闭空腔。
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