[发明专利]声表面波器件晶圆级薄型封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201710498132.5 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107342747B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 胡文华 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/10 | 分类号： | H03H9/10;H01L41/053 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆级封装结构，包括：硅基板，所述硅基板包括设置在所述硅基板的第一表面上的连接焊盘和连接焊盘周围的介质层，设置在所述硅基板的第二表面上的封装焊盘和封装焊盘周围的介质层，将所述封装焊盘电连接到所述连接焊盘的一层或多层金属布线和导电通孔；第一框架结构，所述第一框架结构设置在所述硅基板的第一表面上，并在所述硅基板的四周形成包围圈，中间部分镂空；以及芯片，所述芯片设置在所述第一框架结构上，所述第一框架结构的中间镂空部分的尺寸小于芯片尺寸，所述硅基板、所述第一框架结构以及所述芯片之间形成密闭空腔。 | ||
| 搜索关键词： | 表面波 器件 晶圆级薄型 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆级封装结构，包括：硅基板，所述硅基板包括设置在所述硅基板的第一表面上的连接焊盘和连接焊盘周围的介质层，设置在所述硅基板的第二表面上的封装焊盘和封装焊盘周围的介质层，将所述封装焊盘电连接到所述连接焊盘的一层或多层金属布线和导电通孔；第一框架结构，所述第一框架结构设置在所述硅基板的第一表面上，并在所述硅基板的四周形成包围圈，中间部分镂空；以及芯片，所述芯片设置在所述第一框架结构上，所述第一框架结构的中间镂空部分的尺寸小于芯片尺寸，所述硅基板、所述第一框架结构以及所述芯片之间形成密闭空腔。
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