[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710502805.X | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107546213A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 矢岛明;山田义明 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L23/538;H01L21/60;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 杨宏军,李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法，能够提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有半导体衬底(1)；导体层(RM)，形成在半导体衬底(1)上、且具有上表面及下表面；导体柱(CP)，在导体层(RM)的上表面上形成，且具有上表面、下表面及侧壁；保护膜(16)，覆盖导体层(RM)的上表面，且具有露出导体柱(CP)上表面及侧壁的开口(16a)；及覆盖导体柱(CP)的侧壁的保护膜(SW)。而且，在俯视中，保护膜(16)的开口(16a)大于导体柱(CP)的上表面，并露出导体柱(CP)的上表面的整个区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，具有：半导体衬底，导体层，所述导体层形成在所述半导体衬底上，且具有第一上表面及第一下表面，导体柱，所述导体柱形成在所述导体层的所述第一上表面上，且具有第二上表面、第二下表面及侧壁，第一绝缘膜，所述第一绝缘膜覆盖所述导体层的所述第一上表面，且具有露出所述导体柱的所述第二上表面及所述侧壁的开口，及保护膜，所述保护膜覆盖所述导体柱的所述侧壁，在俯视中，所述开口大于所述第二上表面，并露出所述第二上表面的整个区域。
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