[发明专利]一种电子注耦合激励表面等离子体激元的方法在审

专利信息
申请号: 201710504943.1 申请日: 2017-06-28
公开(公告)号: CN107121716A 公开(公告)日: 2017-09-01
发明(设计)人: 龚森 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G02B5/00 分类号: G02B5/00
代理公司: 成都正华专利代理事务所(普通合伙)51229 代理人: 李林合,李蕊
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种电子注耦合激励表面等离子体激元的方法,属于辐射源技术领域。一种电子注耦合激励表面等离子体激元的方法,用电子注激励周期结构中的仿表面等离子体激元,以激励出的仿表面等离子体激元作为激励源去耦合激励媒质元件中的表面等离子体激元,从而获得表面等离子体激元;其中,周期结构是由金、银或无氧铜制成的,周期结构包括多个重复排列的单元,并且相邻两个单元之间具有缝隙;媒质元件是由金属或石墨烯制成的薄膜。本发明能够提高激励效率,延长衰减时间。
搜索关键词: 一种 电子 耦合 激励 表面 等离子体 方法
【主权项】:
一种电子注耦合激励表面等离子体激元的方法,其特征在于,用电子注激励周期结构中的仿表面等离子体激元,以激励出的所述仿表面等离子体激元作为激励源去耦合激励媒质元件中的表面等离子体激元,从而获得所述表面等离子体激元;其中,所述周期结构是由金、银或无氧铜制成的,所述周期结构包括多个重复排列的单元,并且相邻两个所述单元之间具有缝隙;所述媒质元件是由金属或石墨烯制成的薄膜。
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