[发明专利]一种MEMS电容式压力传感器的敏感结构有效
| 申请号： | 201710505286.2 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107421662B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 重庆芯原微科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14;G01L9/12 |
| 代理公司： | 深圳市鼎泰正和知识产权代理事务所(普通合伙) 44555 | 代理人： | 周小涛 |
| 地址： | 401233 重庆市长*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于单片式MEMS电容式压力传感器的新型敏感结构，具体是一种基于MEMS微加工技术形成的平板电容结构，该电容结构的一部分和信号处理电路一起加工完成，电容结构的另外一部分通过体硅工艺单独加工，最后通过键合工艺组装在一起。该新型结构设计有两大优势，一个是电容结构的可动极板部分分开单独制造，工艺控制简单，第二是该电容结构可以非常方便的和信号处理电路芯片进行片上集成，不会引入两片式组装通常会产生的过大的寄生电容。该新型敏感结构可以非常方便的和处理微弱电容变化的信号处理电路集成而不需要重新设计电路，同时相对于传统的基于表面工艺的单片式MEMS电容压力传感器大大减小了总的工艺加工难度，具有很大实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 电容 压力传感器 敏感 结构 | ||
【主权项】：
一种电容式压力传感器的敏感结构，其特征在于所述的敏感结构为一平板电容，其上极板为高掺杂的导电单晶硅薄膜，下极板为衬底上的平板导体。
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