[发明专利]高压元件有效
| 申请号： | 201710505678.9 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109148606B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 萧世楹;张凯焜;杨庆忠 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高压元件，包含有一半导体基底、一离子阱、一萧基二极管，设于所述离子阱中、一绝缘结构，设于所述离子阱中，且环绕所述萧基二极管、以及一辅助栅极，环绕所述萧基二极管。所述辅助栅极仅设于所述绝缘结构上方，而不会直接接触到所述离子阱。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 元件 | ||
【主权项】：
1.一种高压元件，包含有:半导体基底，具有第一导电型；第一离子阱，具有第二导电型；萧基二极管，设于该第一离子阱中；绝缘结构，设于该第一离子阱中，且环绕该萧基二极管；以及辅助栅极，仅设于该绝缘结构上，环绕该萧基二极管，其中该辅助栅极电连接至该萧基二极管。
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