[发明专利]氧化石墨烯原位生长法制备中空结构纳米氧化钨线制备法

摘要

本发明公开了一种氧化石墨烯原位生长法制备中空结构纳米氧化钨线制备方法，包括以下步骤：1）称取一定量的氧化石墨烯和含钨的前驱体化合物；2）分散于一定量的去离子水中，并超声分散；3）将称量好的含钨前驱体化合物溶解于步骤2）制备的氧化石墨烯水溶液中，得到氧化石墨烯和含钨前驱体化合物粉体并置于烘箱中一定温度保温一定时间得到干燥的混合粉末。4）将步骤3）获得的氧化石墨烯和含钨前驱体化合物干燥粉体置于氧化铝坩埚中，在H2气氛下自然冷却至室温，获得中空结构纳米氧化钨线。本发明相比于常规采用聚四氟乙烯内衬的高压反应釜制备方法，能耗较低，且成本更低，使工业化生产投资少，产品成本低，便于实现工艺化批量生产。

主权项

一种氧化石墨烯原位生长法制备中空结构纳米氧化钨线制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：称取一定量的氧化石墨烯和含钨的前驱体化合物，使得氧化石墨烯和含钨前驱体化合物具有不同摩尔比值；步骤2：将称量好的氧化石墨烯经少量无水乙醇润湿改性，分散于一定量的去离子水中，并超声分散，得到氧化石墨烯水溶液；步骤3：将步骤1所得称量好的含钨前驱体化合物溶解于步骤2制备的氧化石墨烯水溶液中，充分搅拌，形成氧化石墨烯和含钨前驱体化合物的水溶液，在搅拌过程中，利用酸式滴定管不断往氧化石墨烯和含钨前驱体化合物的水溶液中滴入酒精，使得酒精与水溶液达到一定体积比，将得到的沉淀抽滤，得到氧化石墨烯和含钨前驱体化合物粉体并置于烘箱中一定温度保温一定时间得到干燥的混合粉末；步骤4：将步骤3获得的氧化石墨烯和含钨前驱体化合物干燥粉体置于氧化铝坩埚中，并坩埚置于管式还原炉中，抽真空，通入一定量H2，在一定温度下保温一定时间同时控制升温速率使得氧化石墨烯表面与含钨前驱体化合物充分反应， H2气氛下自然冷却至室温，获得氧化石墨烯原位生长法制备中空结构纳米氧化钨线。