[发明专利]一种量子阱红外探测器件材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种量子阱红外探测器件材料的制备方法，包括提供半导体供体衬底，在半导体供体衬底上外延生长缓冲层，之后在缓冲层上生长牺牲层，之后在牺牲层上生长半导体薄膜层；以半导体薄膜层为注入面，对半导体晶片进行离子注入，在牺牲层内形成缺陷层，之后将半导体薄膜层与受体衬底正面键合并对键合结构进行退火处理，之后将半导体薄膜层沿缺陷层从供体衬底剥离，得到含有供体衬底的第一基底和含有受体基底的第二基底，后在去除牺牲层的第二基底上生长量子阱红外探测器结构。本发明采用含铝化合物作为牺牲层，利用层裂之后含铝化合物易氧化的特点，将处理牺牲层的工序简化，并且使得到的受体衬底材料和半导体供体衬底材料表面洁净。

主权项

1.一种量子阱红外探测器件材料的制备方法，包括：提供半导体供体衬底，在半导体供体衬底上外延生长缓冲层，之后在缓冲层上生长牺牲层，之后在牺牲层上生长半导体薄膜层；以半导体薄膜层为注入面，对半导体晶片进行离子注入，在牺牲层内形成缺陷层，之后将半导体薄膜层与受体衬底正面键合并对键合结构进行退火处理，之后将半导体薄膜层沿缺陷层从供体衬底剥离，得到含有供体衬底的第一基底和含有受体基底的第二基底，后在去除牺牲层的第二基底上生长量子阱红外探测器结构；所述半导体薄膜层的组成为GaAs、InP、InGaAs、InAlAs、GaSb、InAs、GaN或前述物质的搀杂材料；所述半导体供体衬底为GaAs、InP、GaSb、InAs或GaN衬底，或为去除牺牲层的第一基底；所述牺牲层材料为AlAs、AlSb、InAlAs或InAlSb。