[发明专利]一种修复电压降的方法及装置有效
| 申请号： | 201710507652.8 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109145338B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 陈俊杰 | 申请（专利权）人： | 深圳市中兴微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/39 | 分类号： | G06F30/39;G06F30/398 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 姜春咸;冯建基 |
| 地址： | 518055 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种修复电压降的方法及装置，包括：区分芯片的各功能模块，并根据区分的功能模块将芯片的存储器划分为两个或两个以上存储器分组；为划分的存储器分组分别配置相应的测试向量，以控制不同存储器分组的存储器在不同时间工作。本发明实施例降低了存储器内建自测试电路的电压降，降低了电压降对芯片性能的影响，使电压降满足芯片的设计要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 修复 电压 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种修复电压降的方法，其特征在于，包括：区分芯片的各功能模块，并根据区分的功能模块将芯片的存储器划分为两个或两个以上存储器分组；为划分的存储器分组分别配置相应的测试向量，以控制不同存储器分组的存储器在不同时间工作。
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