[发明专利]具有垂直磁力异向性的磁性结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201710508067.X | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107546322B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 路克·汤马斯;诺真·杰;童儒颖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01;G11C11/16 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有垂直磁力异向性的磁性结构及其制备方法。于铁磁层(FML)两侧加设两氧化界面，可导引出较高的PMA，本发明的FML的堆叠结构可改善上氧化层的氧化控制，其是通过依次交错沉积一个或是两个以上非磁性层于数个铁磁子层上来实现的，本发明所使用的非磁性层具有0.5～10埃的厚度，并具有高再溅镀率，能够使得FML的上表面保持平滑，抑制FML子层的结晶，且可与氧气反应，保护相邻的铁磁子层不进行有害氧化。本发明的FML可以于磁性隧穿接合(MTJ)中作为自由层或是参考层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 磁力 向性 磁性 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有垂直磁力异向性的磁性结构，其特征在于，包含有位于一基板与一第一氧化层(记为OL1)间的一铁磁层，该铁磁层包含有：(a)一第一铁磁子层(记为FML1)；(b)一第一非磁性层(记为NML1)，为镁、铝、硅、碳、钙、锶、钡与硼的其中之一；(c)一第二铁磁子层(记为FML2)；并形成FML1/NML1/FML2的结构。
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