[发明专利]一种金属氧化物纳米颗粒薄膜的制备方法及电学器件有效
| 申请号： | 201710508825.8 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109148695B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 程陆玲;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/56;H01L51/42;H01L51/50;C01G23/047;C01G23/053;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种金属氧化物纳米颗粒薄膜的制备方法及电学器件，包括：步骤A、通过金属卤化物在有机醇中进行加热醇解制备含卤素配体金属氧化物纳米颗粒；步骤B、将含卤素配体金属氧化物纳米颗粒采用溶液法制备得到含卤素配体金属氧化物纳米颗粒薄膜。本发明是利用金属卤化合物进行醇解的方式得到含卤素配体金属氧化物纳米颗粒，然后将含卤素配体金属氧化物纳米颗粒制备成薄膜，再一次利用卤素对膜采用钝化处理，这不仅进一步减少金属氧化物纳米颗粒表面的缺陷，而且也能够使金属氧化物纳米颗粒与活性功能层之间进一步改善电荷传输，提高传输效率，进而提高器件效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 纳米 颗粒 薄膜 制备 方法 电学 器件 | ||
【主权项】：
1.一种含卤素配体金属氧化物纳米颗粒薄膜的制备方法，其特征在于，包括：步骤A、通过金属卤化物在有机醇中进行加热醇解制备含卤素配体金属氧化物纳米颗粒；步骤B、将含卤素配体金属氧化物纳米颗粒采用溶液法制备得到含卤素配体金属氧化物纳米颗粒薄膜。
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