[发明专利]一种FinFET器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710508922.7 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109148580B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种FinFET器件及其制作方法，所述方法包括:提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个虚拟鳍片；沉积隔离材料层，以完全填充所述虚拟鳍片之间的间隙；回刻蚀所述虚拟鳍片，以在所述隔离材料层之间形成第一凹槽；在所述第一凹槽内沉积鳍片材料层；回蚀刻部分所述鳍片材料层以形成第二凹槽；在所述第二凹槽中形成掩膜层；回蚀刻所述隔离材料层，以露出所述鳍片材料层的一部分，形成具有特定高度的鳍片结构；执行沟道停止离子注入，以形成穿通停止层。根据本发明提供的FinFET器件的制作方法，通过在鳍片结构上形成掩膜层，有效避免了在后续执行沟道停止离子注入过程中对所述鳍片结构造成损坏，从而提高了FinFET器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种FinFET器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个虚拟鳍片；沉积隔离材料层，以完全填充所述虚拟鳍片之间的间隙；回刻蚀所述虚拟鳍片，以在所述隔离材料层之间形成第一凹槽；在所述第一凹槽内沉积鳍片材料层；回蚀刻部分所述鳍片材料层以形成第二凹槽；在所述第二凹槽中形成掩膜层；回蚀刻所述隔离材料层，以露出所述鳍片材料层的一部分，形成具有特定高度的鳍片结构；执行沟道停止离子注入，以形成穿通停止层。
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