[发明专利]一种半导体激光器材料的制备方法有效
| 申请号： | 201710509143.9 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107910750B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 王庶民;王畅 | 申请（专利权）人： | 超晶科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人： | 陈琳琳;李彪 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器材料的制备方法，包括：提供半导体供体衬底，并在该供体基底上外延生长缓冲层，在所述缓冲层上生长牺牲层，在所述牺牲层上生长半导体薄膜层；在半导体薄膜层侧进行离子注入，在所述牺牲层内形成缺陷层；提供柔性衬底，并使所述半导体薄膜层和柔性衬底键合；对缺陷层进行退火处理，将顶层薄膜沿牺牲层从供体衬底上剥离，得到含有供体衬底的第一基底和含有柔性衬底的第二基底，并去除第二基底上的牺牲层，得到键合有半导体薄膜层的柔性基底。本发明的方法为供体衬底可重复利用，省去减薄工艺的半导体激光器材料制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器材料的制备方法，包括：提供半导体供体衬底，并在该供体基底上外延生长缓冲层，在所述缓冲层上生长牺牲层，在所述牺牲层上生长半导体薄膜层；在半导体薄膜层侧进行离子注入，在所述牺牲层内形成缺陷层；提供柔性衬底，并使所述半导体薄膜层和柔性衬底键合；对缺陷层进行退火处理，将顶层薄膜沿牺牲层从供体衬底上剥离，得到含有供体衬底的第一基底和含有柔性衬底的第二基底，并去除第二基底上的牺牲层，得到键合有半导体薄膜层的柔性基底。
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