[发明专利]一种外延层剥离装置及剥离方法有效
申请号: | 201710509575.X | 申请日: | 2017-06-28 |
公开(公告)号: | CN107424944B | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 兰立广 | 申请(专利权)人: | 紫石能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京正和明知识产权代理事务所(普通合伙) 11845 | 代理人: | 李建刚 |
地址: | 102208 北京市昌平区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种外延层剥离装置及剥离方法,用于依次包含有衬底、牺牲层、外延层和支撑层的待剥离件的外延层剥离,该外延层剥离装置包括上端开口的盒体,盒体底部设置有弹性缓冲结构;待剥离件放置于弹性缓冲结构上方时,待剥离件的支撑层边沿位于盒体侧壁上,使得待剥离件的支撑层与衬底之间具有一定张角。刻蚀初期,弹性缓冲结构被压缩而缓慢下移,在支撑层自身的应力和外延层剥离装置对待剥离件的支撑力的共同作用下,使得外延层与衬底的张角逐渐变大,增大了腐蚀液和牺牲层界面间形成的腐蚀通道,有利于腐蚀液快速进入及反应副产物的输出,从而提高了刻蚀初期的外延层剥离速率。 | ||
搜索关键词: | 一种 外延 剥离 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种外延层剥离装置,用于依次包含有衬底、牺牲层、外延层和支撑层的待剥离件的外延层剥离,其特征在于,所述装置包括上端开口的盒体,所述盒体底部设置有弹性缓冲结构;所述待剥离件放置于所述弹性缓冲结构上方时,所述待剥离件的所述支撑层边沿位于所述盒体侧壁上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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