[发明专利]一种多光谱双芯片红外探测器的底部填充方法有效
申请号: | 201710509717.2 | 申请日: | 2017-06-28 |
公开(公告)号: | CN107394004B | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
发明(设计)人: | 王骏;王成刚;东海杰;谢珩 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/09 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 于金平 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种多光谱双芯片红外探测器的底部填充方法,所述方法包括:将填充剂填充至预设的填充区域,预设的填充区域为两芯片之间的缝隙;将填充结束后的多光谱双芯片红外探测器放置在真空环境中使填充剂固化。本发明实施例提供的多光谱双芯片红外探测器的底部填充方法,通过对填充剂填充区域的摸索,并使用一定的真空环境进行胶水固化,解决了多光谱双芯片红外探测器底部填充时填充不饱满的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 光谱 芯片 红外探测器 底部 填充 方法 | ||
【主权项】:
1.一种多光谱双芯片红外探测器的底部填充方法,其特征在于,包括以下步骤:将5~6mg的环氧树脂填充至两芯片之间缝隙的1/3处~2/3处,所述两芯片之间的缝隙为100~200微米;将填充结束后的多光谱双芯片红外探测器放置在100~150mba的真空环境中,加热至90~100℃使环氧树脂固化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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