[发明专利]电阻器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710510885.3 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109216468B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/8605 | 分类号： | H01L29/8605;H01L21/28;H01L21/18 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该电阻器件包括：衬底；在该衬底上的一个或多个鳍片，其中在每个鳍片周围形成有沟槽隔离结构；在每个鳍片上的至少一个第一伪栅极结构；在该沟槽隔离结构之上的层间电介质层，其中，该层间电介质层覆盖该鳍片和该第一伪栅极结构；以及在该层间电介质层之上的电阻材料层。本发明的电阻器件具有比较好的均匀性，这可以提高器件的均匀度。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻器件，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底上的一个或多个鳍片，其中在每个所述鳍片周围形成有沟槽隔离结构；在每个所述鳍片上的至少一个第一伪栅极结构；在所述沟槽隔离结构之上的层间电介质层，其中，所述层间电介质层覆盖所述鳍片和所述第一伪栅极结构；以及在所述层间电介质层之上的电阻材料层。
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