[发明专利]一种用X射线进行单粒子软错误的试验方法在审
| 申请号： | 201710511158.9 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107358977A | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 郭红霞;张阳;张凤祁;钟向丽;郭维新;魏佳男;王浩杰 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | G11C29/10 | 分类号： | G11C29/10;G11C29/56 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用X射线进行单粒子软错误的试验方法，包括如下步骤对SRAM试验器件加载低于正常电压的偏置电压；对SRAM试验器件进行X射线辐射，记录试验数据；以及根据试验数据计算偏置电压下对应的单粒子翻转截面。本发明通过使用X射线进行单粒子软错误的试验方法证实了纳米级器件在X射线辐照过程中，所产生的次级电子，可以导致器件发生翻转，相比于以前的研究，对纳米级器件的单粒子效应的研究，增加了一种地面模拟源，相比于其它辐射源，具有剂量率控制准确、辐照易于屏蔽、无辐射残留，机时容易获得的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射线 进行 粒子 错误 试验 方法 | ||
【主权项】：
一种用X射线进行单粒子软错误的试验方法，其特征在于，包括如下步骤：对SRAM试验器件加载低于正常电压的偏置电压；对SRAM试验器件进行X射线辐射，记录试验数据；以及根据试验数据计算偏置电压下对应的单粒子翻转截面。
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