[发明专利]开关性能稳定的功率器件

摘要

本发明的公开了一种开关性能稳定的功率器件包括：第一导电型的衬底，其底端配置器件漏极，所述衬底上端配置有外延层；第二导电型的沟道、第二导电型的体区，体区内配置有器件源极和器件栅极；其中，所述沟道中存在第一独立沟道、第二独立沟道以及第三独立沟道，所述第一独立沟道上部配置有第一金属‑氧化物半导体场效应管，所述第二独立沟道上部配置有第二金属‑氧化物半导体场效应管，所述外延层上端绝缘配置有第一电阻和第二电阻，第一、第二金属‑氧化物半导体场效应管作为导流回路连接在功率器件中。本发明解决了功率器件开关性能不稳定的技术问题。

主权项

一种开关性能稳定的功率器件，其特征在于，包括：第一导电型的衬底，其底端配置有MOS功率器件的器件漏极，所述衬底上端配置有第一导电型的外延层；第二导电型的沟道，其间隔配置在所述外延层中；第二导电型的体区，其配置在所述沟道和外延层上部，其中，所述体区至少覆盖在两个相邻所述沟道的上端形成相邻体区，所述体区内配置有第一导电型的器件源极，所述相邻体区之间的上端配置有器件栅极；其中，所述沟道中至少存在三个未被所述体区覆盖的第一独立沟道、第二独立沟道以及第三独立沟道，所述第一独立沟道上部配置有第一金属‑氧化物半导体场效应管，所述第二独立沟道上部配置有第二金属‑氧化物半导体场效应管，所述外延层上端绝缘配置有第一电阻和第二电阻，所述器件栅极端连接栅极金属垫，所述第二电阻连接在所述栅极金属垫和所述器件栅极之间，所述第一金属‑氧化物半导体场效应管的第一漏极与所述器件栅极连接，所述第一金属‑氧化物半导体场效应管的第一源极通过所述第一电阻与所述器件源极共接，所述第一金属‑氧化物半导体场效应管的第一栅极、第二金属‑氧化物半导体场效应管的第二栅极和第二漏极同时共接在栅极金属垫上，所述第二金属‑氧化物半导体场效应管的第二源极与所述器件源极共接。