[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本公开涉及半导体器件及其制造方法。传统表面粗糙化镀敷技术不能总是改进引线框架与镀敷膜之间的粘合，其依赖于用于表面粗糙化镀敷的材料。通过刻蚀进行的传统表面粗糙化技术仅可以用于有限的材料制成的引线框架。因此，无法在金属构件例如引线框架与密封树脂之间实现改进的粘合。根据一实施例的半导体器件制造方法是使用已经经历基材和其表面上镀敷的Zn的合金化处理的金属构件例如引线框架来执行树脂密封。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供引线框架和半导体芯片，其中所述引线框架包括Cu，并且包括管芯焊盘、第一引线和第二引线，以及其中所述半导体芯片具有场效应晶体管，并且包括主电极、控制电极和背电极；(b)在步骤(a)之后，经由管芯结合材料将所述半导体芯片的所述背电极结合到所述引线框架的所述管芯焊盘；(c)在步骤(b)之后，经由第一导电材料耦合所述主电极和所述第一引线，并经由第二导电材料耦合所述控制电极和所述第二引线；(d)在步骤(c)之后，通过电镀方法在所述引线框架上形成Zn镀敷层；(e)在步骤(d)之后，用密封树脂来密封所述半导体芯片、所述第一导电材料和所述第二导电材料，以使得所述管芯焊盘、所述第一引线和所述第二引线中的每一个的一部分从所述密封树脂暴露；(f)在步骤(e)之后，移除形成在所述管芯焊盘、所述第一引线和所述第二引线中的每一个的所述一部分上的所述Zn镀敷层；(g)在步骤(f)之后，在所述管芯焊盘、所述第一引线和所述第二引线中的每一个的所述一部分上形成不同于所述Zn镀敷层的镀敷层；以及(h)在步骤(g)之后，切割所述引线框架。