[发明专利]环绕式沟槽接触部结构和制作方法

摘要

描述了一种环绕式源极/漏极沟槽接触部结构。多个半导体鳍状物从半导体衬底伸出。将沟道区设置到一对源极区/漏极区之间的每一鳍状物内。外延半导体层在所述源极区/漏极区之上覆盖每一鳍状物的顶表面和侧壁表面，从而在相邻鳍状物之间界定了高高宽比缝隙。将一对源极/漏极沟槽接触部电耦合至所述外延半导体层。所述源极/漏极沟槽接触部包括共形金属层和填充金属。所述共形金属层与所述外延半导体层共形。所述填充金属包括插塞和阻挡层，其中，所述插塞填充形成于所述鳍状物和所述共形金属层之上的接触沟槽，所述阻挡层充当所述插塞的衬，从而避免所述共形金属层材料和插塞材料的相互扩散。

主权项

一种集成电路结构，包括：从半导体衬底突出的多个半导体鳍状物，所述多个半导体鳍状物中的各个半导体鳍状物具有顶部和侧壁；栅极电极，其位于所述多个半导体鳍状物中的各个半导体鳍状物的所述顶部的一部分之上并且与所述多个半导体鳍状物中的各个半导体鳍状物的所述侧壁的一部分相邻，所述栅极电极限定所述多个半导体鳍状物中的各个半导体鳍状物中的沟道区，所述栅极电极限定所述多个半导体鳍状物中的各个半导体鳍状物中的在所述栅极电极的第一侧的第一源极区/漏极区，并且所述栅极电极限定所述多个半导体鳍状物中的各个半导体鳍状物中的在与所述栅极电极的所述第一侧相对的所述栅极电极的第二侧的第二源极区/漏极区；半导体材料，其位于所述多个半导体鳍状物中的各个半导体鳍状物的所述第一源极区/漏极区和所述第二源极区/漏极区上；金属氧化物材料，其位于所述多个半导体鳍状物中的各个半导体鳍状物的所述第一源极区/漏极区和所述第二源极区/漏极区上的所述半导体材料上并且与所述半导体材料直接接触，而在所述金属氧化物材料与所述半导体材料之间没有介入的硅化物材料；第一导电结构，其位于所述多个半导体鳍状物中的各个半导体鳍状物的所述第一源极区/漏极区之上，所述第一导电结构直接位于所述金属氧化物材料的第一部分上；以及第二导电结构，其位于所述多个半导体鳍状物中的各个半导体鳍状物的所述第二源极区/漏极区之上，所述第二导电结构直接位于所述金属氧化物材料的第二部分上。