[发明专利]一种超柔性氮化镓基金字塔结构半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710516403.5 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107482088A | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 云峰;李虞锋;田振寰 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/40 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超柔性氮化镓基金字塔结构半导体器件及其制备方法，包括自下到上依次设置有柔性衬底、导电粘结层、SiO2掩膜、金字塔阵列及P面透明电极，金字塔阵列中的各金字塔之间填充有绝缘填充材料，金字塔阵列中各金字塔均包括金字塔形结构的非故意掺杂氮化镓以及依次覆盖于非故意掺杂氮化镓上n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层及透明导电层，其中，非故意掺杂氮化镓的下端穿过SiO2掩膜与导电粘结层相连接，透明导电层的顶部与P面透明电极相连接，该半导体器件具有尺寸不受限、柔性度较高的特点，并且制备方法操作简单、方便、易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 氮化 基金 结构 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超柔性氮化镓基金字塔结构半导体器件，其特征在于，包括自下到上依次设置的柔性衬底(34)、导电粘结层(33)、SiO2掩膜(12)、金字塔阵列(2)及P面透明电极(35)，金字塔阵列(2)中的各金字塔之间填充有绝缘填充材料(31)，金字塔阵列(2)中各金字塔均包括金字塔形结构的非故意掺杂氮化镓(21)以及依次覆盖于非故意掺杂氮化镓(21)上的n型氮化镓层(22)、量子阱层(23)、p型氮化镓层(24)及透明导电层(25)，其中，非故意掺杂氮化镓(21)的下端穿过SiO2掩膜(12)与导电粘结层(33)相连接，透明导电层(25)的顶部穿出绝缘填充材料(31)插入于P面透明电极(35)内。
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