[发明专利]电熔丝结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法

摘要

本发明的实施例中提供了多种电熔丝结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法，例如向纳米线或者鳍部内掺杂，形成电熔丝结构，在形成全包围栅晶体管或鳍式场效应晶体管的同时，形成与之对应的电熔丝结构，实现了形成电熔丝结构、以及半导体器件的多样性。并且，当形成电熔丝结构的步骤寄生于形成全包围栅晶体管或鳍式场效应晶体管的步骤之中时，不会增加额外的工艺步骤，生产成本低。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供绝缘体上半导体衬底，所述绝缘体上半导体衬底包括背衬底、覆盖背衬底表面的隐埋氧化物层、和覆盖隐埋氧化物层表面的顶层半导体层；刻蚀所述顶层半导体层形成第一纳米线和与之分立的第二纳米线；至少去除部分厚度的隐埋氧化物层，使第一纳米线和第二纳米线的中间悬空、而两端具有支撑；待形成中间悬空、而两端具有支撑的第一纳米线后，形成覆盖所述第一纳米线表面的栅极结构；形成所述栅极结构后，在第一纳米线的两端掺杂形成全包围栅晶体管的源极和漏极；在所述第二纳米线的两端掺杂，形成电熔丝结构的阴极和阳极，以及位于所述阴极和阳极之间的熔断区。