[发明专利]集成离子注入工艺的红外传感器的制备方法

摘要

本发明提供了一种红外传感器的制备方法，包括以下步骤：在一互连层上形成非晶硅层；在非晶硅层中刻蚀出支撑孔；对支撑孔之外的非晶硅层表面进行第一次离子注入，形成顶部释放保护层；对支撑孔侧壁进行第二次离子注入，形成侧壁释放保护层；在顶部释放保护层和侧壁释放保护层表面进行第三次离子注入，形成敏感材料层；在敏感材料层表面以及沟槽底部暴露的互连层表面形成电极层，并图案化电极层，形成电极层图案。本发明在不改变器件的填充因子的条件下，提高了电连接接触面积。

主权项

1.一种红外传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤01：在一互连层上形成非晶硅层；步骤02：在非晶硅层中刻蚀出支撑孔；步骤03：对支撑孔之外的非晶硅层表面进行第一次离子注入，形成顶部释放保护层；其中，顶部释放保护层表面保留有一层非晶硅层；步骤04：对支撑孔侧壁进行第二次离子注入，形成侧壁释放保护层；其中，侧壁释放保护层表面保留有一层非晶硅层；步骤05：在顶部释放保护层和侧壁释放保护层表面进行第三次离子注入，形成敏感材料层；其中，第三次离子注入到顶部释放保护层表面所保留的非晶硅层中以及注入到侧壁释放保护层表面所保留的非晶硅层中，从而使顶部释放保护层表面所保留的非晶硅层以及侧壁释放保护层表面所保留的非晶硅层形成敏感材料层；步骤06：在敏感材料层表面以及支撑孔底部暴露的互连层表面形成电极层，并图案化电极层，形成电极层图案。