[发明专利]高色纯度的绿光半导体纳米晶体的制备方法有效
| 申请号： | 201710516872.7 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107384404B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 张辉朝;逯鑫淼;赵巨峰;辛青 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 310000 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高色纯度的绿光半导体纳米晶体的制备方法，制备方法为：先制备油酸镉(Cd(OA) |
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| 搜索关键词： | 纯度 半导体 纳米 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高色纯度的绿光半导体纳米晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤a：制备出油酸镉(Cd(OA)2)、油酸锌(Zn(OA)2)和硒/三丁基膦(Se/TBP)前驱溶液；步骤b：将制备好的Cd(OA)2、Zn(OA)2前驱溶液以及十八烯(ODE)混合，在氩气环境下升温至97‑103℃，并在此温度下搅拌20‑25min；步骤c：继续升温至297‑303℃，停留30‑60s；步骤d：加入步骤a中制备的Se/TBP前驱溶液，反应5‑8min，后降温至室温，得到CdZnSe纳米晶体。
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