[发明专利]具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710517891.1 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107144899B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 邱阳;陈玮;金扬利;祖成奎;韩滨;徐博 | 申请（专利权）人： | 中国建筑材料科学研究总院 |
| 主分类号： | G02B1/113 | 分类号： | G02B1/113;G02B1/111;G02B1/10;G02B1/00 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址： | 100024*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件及其制备方法，该方法包括以下步骤:(1)在硫系光学元件基层表面镀无机膜层；(2)在所述的无机膜层表面喷涂有机涂层；(3)将石墨烯透红外电磁屏蔽膜转移至所述的有机涂层的表面，得到具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件。本发明的具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件相比于以金属网栅为屏蔽体的光学元件，其可实现性强，且本发明的制作方法简单、制作成本低。本发明具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件在1.06‑12μm的工作波段光吸收系数小，透光率高，电磁屏蔽效果强；其方块电阻小于35Ω/□，电磁屏蔽效能大于15dB，红外透过损耗小于3％。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电磁 屏蔽 性能 光学 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤:(1)在硫系光学元件基层表面镀无机膜层；(2)在所述的无机膜层表面喷涂有机涂层；(3)将石墨烯透红外电磁屏蔽膜转移至所述的有机涂层的表面，得到具有电磁屏蔽性能的硫系光学元件。
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