[发明专利]重复利用三氧化钼制备单层二硫化钼薄膜的方法有效
| 申请号： | 201710519326.9 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107385508B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 陈波 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/46 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 朱源;武建云 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种重复利用三氧化钼来制备单层二硫化钼薄膜的方法。以固态S和MoO3为前驱体，经化学气相反应后在目标衬底上沉积单层MoS2薄膜，其中管式炉温区中S蒸汽的浓度通过载气流量的大小来调节，以防止MoO3中毒。该方法可以多次重复使用MoO3前驱体来制备大面积单层MoS2薄膜，且组成薄膜的单晶MoS2晶粒尺寸可达100μm。 | ||
| 搜索关键词： | 重复 利用 氧化钼 制备 单层 二硫化钼 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种重复利用三氧化钼制备单层二硫化钼薄膜的方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）、在石英管管式炉中，将S粉放在第一陶瓷舟中，置于载气气流下游；MoO3粉末放在第二陶瓷舟中，置于载气气流上游；蓝宝石衬底置于石英管管式炉温区中；第一陶瓷舟位于蓝宝石衬底的下游，第二陶瓷舟位于蓝宝石衬底的上游；其中，S粉、MoO3粉末、蓝宝石衬底到管式炉中心的距离分别为17cm、11cm、6.5~7cm；（2）、将石英管内的空气抽除，然后充入载气，直到石英管内的压强恢复到大气压，重复两次；（3）、调节载气流量大小为50sccm，加热管式炉，使S蒸汽与MoO3蒸汽在高温下反应，在衬底上沉积单层MoS2薄膜。
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