[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710520203.7 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107293618A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 万林;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/22;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，所述缓冲层包括至少一个具有粗化结构的子层，所述子层包括依次层叠的铝层、氮化铝层和铝镓氮层。本发明通过将缓冲层设计为包括至少一个具有粗化结构的子层，子层包括依次层叠的铝层、氮化铝层和铝镓氮层，可以逐步缓解蓝宝石衬底和氮化镓材料之间的晶格失配，缓解能力比氮化铝缓冲层高，位错密度降低，外延缺陷减少，晶体质量提高。而且子层具有粗化结构，可以进一步减少外延缺陷，提高晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，其特征在于，所述缓冲层包括至少一个具有粗化结构的子层，所述子层包括依次层叠的铝层、氮化铝层和铝镓氮层。
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