[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法在审
| 申请号： | 201710520222.X | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107359229A | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 胡任浩;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型氮化镓层和N型接触层。本发明通过在P型氮化镓层上层叠N型接触层，能够掺入N型接触层的N型掺杂剂较多，N型掺杂剂的活化率也较高，N型接触层中提供的电子数量远多于P型接触层中提供的空穴数量，接触层中将P型电极注入的电流传递到P型氮化镓层的载流子数量大大增加，接触层的电阻大大减小，在注入电流不变的情况下，LED的工作电压大幅降低，LED的光效提高；同时产生的热量减少，对LED封装材料的要求降低，生产成本得以降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括层叠在所述P型氮化镓层上的N型接触层。
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