[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201710520231.9 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107293619B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 从颖;姚振;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，多量子阱层包括多个量子阱层和多个量子垒层，多个量子阱层和多个量子垒层交替层叠，量子垒层包括(n+1)个第一子层和n个第二子层，n为正整数，(n+1)个第一子层和n个第二子层交替层叠设置，第一子层为没有掺杂的氮化镓层，第二子层为掺杂硅的氮化镓层。本发明采用掺杂硅和非掺杂硅交替生长，可以有效增强电流扩展，且掺杂硅的氮化镓层中的部分硅可以通过渗透作用到没有掺杂硅的氮化镓中，保障了LED的发光效率和亮度，又可以减少线缺陷和降低电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，所述多量子阱层包括多个量子阱层和多个量子垒层，所述多个量子阱层和所述多个量子垒层交替层叠，其特征在于，所述量子垒层包括(n+1)个第一子层和n个第二子层，n为正整数，所述(n+1)个第一子层和所述n个第二子层交替层叠设置，所述第一子层为没有掺杂的氮化镓层，所述第二子层为掺杂硅的氮化镓层；最靠近所述N型氮化镓层的第一子层的厚度、以及最靠近所述电子阻挡层的第一子层的厚度均大于其它的第一子层中每个第一子层的厚度，所述其它的第一子层为所述(n+1)个第一子层中除最靠近所述N型氮化镓层的第一子层和最靠近所述电子阻挡层的第一子层的厚度之外的第一子层。
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