[发明专利]一种基于TSV技术的埋置型三维集成封装结构在审
| 申请号： | 201710520759.6 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107275296A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 姚昕;明雪飞;吉勇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/535 |
| 代理公司： | 总装工程兵科研一所专利服务中心32002 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路封装技术领域，特别是涉及基于TSV技术的集成电路封装技术领域。本发明实施例中，基于TSV技术的埋置型三维集成封装结构，包括，所述三维集成封装结构由若干个二维结构通过TSV转接板微凸点互连；所述二维封装结构由摩尔芯片、TSV转接板、再布线层、微凸点构成；所述摩尔芯片埋置在TSV转接板上下两面，在所得结构上下两面设有金属再布线层，并且通过再布线层以及TSV转接板通孔金属材料实现摩尔芯片的信号互连。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 tsv 技术 埋置型 三维 集成 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种制作基于TSV技术的埋置型三维集成封装结构的方法，其特征在于，包括：根据摩尔芯片尺寸大小、电互连设计要求，设计制作TSV转接板圆片；在所述TSV转接板圆片上下两面制作若干凹槽，所述凹槽尺寸、厚度与所述摩尔芯片尺寸、厚度相当；将所述摩尔芯片埋置在所述凹槽内，摩尔芯片的焊盘面朝外，在所述圆片上制作一层介质层，露出摩尔芯片的焊盘和TSV焊盘；通过再布线工艺，在所述介质层上制作连接所述摩尔芯片焊盘和TSV焊盘的金属再布线，根据互连关系，实现摩尔芯片与TSV转接板的互连；在所述金属再布线上制作一层钝化层，露出TSV焊盘位置，形成钝化层开口；在钝化层开口制作微凸点，并对埋置摩尔芯片的TSV转接版圆片进行切割,形成单颗的基于TSV技术的埋置型二维集成封装结构；所述二维集成封装结构通过TSV转接板微凸点实现多颗二维集成封装结构Z向堆叠集成。
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