[发明专利]一种基于高导热相变材料相变散热技术的封装结构的制备方法在审
| 申请号： | 201710520800.X | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107195603A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 明雪飞;朱家昌 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L23/427 | 分类号： | H01L23/427;H01L21/48 |
| 代理公司： | 总装工程兵科研一所专利服务中心32002 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路封装技术领域，涉及一种晶圆级封装中芯片的主动散热技术领域。本发明实施例中，基于高导热相变材料相变散热技术的封装结构的制备方法，其特征在于，包括采用标准刻蚀工艺在晶圆级芯片背面制作凹槽或盲孔；在晶圆级芯片背面凹槽或盲孔内放入作为传热媒介的高导热相变材料；晶圆级芯片背面焊接上盖板进行封帽,保证高导热相变材料在相态转变过程中不溢出封装体结构；通过常规划片工艺得到具有相变散热结构的单芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 导热 相变 材料 散热 技术 封装 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于高导热相变材料相变散热技术的封装结构的制备方法，其特征在于，包括：采用标准刻蚀工艺在晶圆级芯片背面制作凹槽或盲孔；在晶圆级芯片背面凹槽或盲孔内放入作为传热媒介的高导热相变材料；晶圆级芯片背面焊接上盖板进行封帽, 保证高导热相变材料在相态转变过程中不溢出封装体结构；通过常规划片工艺得到具有相变散热结构的单芯片。
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