[发明专利]可编程可抹除的非挥发性存储器有效
申请号: | 201710521061.6 | 申请日: | 2017-06-30 |
公开(公告)号: | CN108695337B | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 黎俊霄;陈纬仁;陈学威 | 申请(专利权)人: | 力旺电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11558 | 分类号: | H01L27/11558;H01L29/788;H01L21/336;G11C16/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种可编程可抹除的非挥发性存储器,包括:一第一晶体管,一第二晶体管,一抹除栅区域与一金属层。第一晶体管包括:一选择栅极,一第一掺杂区域以及一第二掺杂区域。选择栅极连接至一字符线。第一掺杂区域连接至一源极线。第二晶体管包括:该第二掺杂区域,一第三掺杂区域以及一浮动栅极。第三掺杂区域连接至一位线。抹除栅区域连接至一抹除线。该浮动栅极延伸至抹除栅区域上方,且相邻于该抹除栅区域。金属层位于该浮动栅极上方,且该金属层连接至该位线。 | ||
搜索关键词: | 可编程 挥发性 存储器 | ||
【主权项】:
1.一种可编程可抹除的非挥发性存储器,包括:第一晶体管,具有选择栅极连接至一字符线,第一掺杂区域连接至一源极线,以及第二掺杂区域;第二晶体管,具有该第二掺杂区域;第三掺杂区域,连接至一位线;以及浮动栅极;抹除栅区域,连接至一抹除线,其中该浮动栅极延伸至抹除栅区域上方,且相邻于该抹除栅区域;以及金属层,位于该浮动栅极上方,且该金属层连接至该位线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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