[发明专利]一种纳米银导电膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710521080.9 申请日: 2017-06-30
公开(公告)号: CN107419244B 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 谢安;吴慧青;张羽;曹光 申请(专利权)人: 厦门理工学院
主分类号: C23C18/44 分类号: C23C18/44;C23C18/16;B82Y40/00
代理公司: 厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101 代理人: 徐东峰
地址: 361000 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供一种纳米银导电膜及其制备方法,涉及纳米材料技术领域。一种纳米银导电膜的制备方法,包括:在基材表面形成聚多巴胺功能表层。然后,选取一定图形的光掩膜,对多巴胺功能表层进行光照刻蚀。接着,涂覆银纳米线/硝酸银溶液,反应后,在基材表面原位形成银纳米线/银纳米颗粒网络结构。最后,清洗干燥,得到图形化纳米银导电膜。制得的纳米银导电膜实现图形化处理,且稳定性好、导电性高、透光率好。聚多巴胺活性功能基团使得银纳米线在基材上能紧密黏附,且能将硝酸银还原生成银纳米粒子,形成银纳米线/银纳米颗粒网络结构,有利于减低膜电阻。该制备方法简便、高效、经济,具有工业化生产的潜力和广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 纳米 导电 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种纳米银导电膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:在基材表面形成聚多巴胺功能表层;S2:选取一定图形的光掩膜,对所述多巴胺功能表层进行光照刻蚀;S3:涂覆银纳米线/硝酸银溶液,反应后,在所述基材表面原位形成银纳米线/银纳米颗粒网络结构,其中,所述银纳米线/硝酸银溶液中,银纳米线的质量分数为0.1~5%,硝酸银的质量分数为0.1~5%;所述银纳米线和所述硝酸银的质量比为1:1.5~2;且银纳米线的直径为40~50nm,长径比为15~30;S4:清洗干燥,得到图形化纳米银导电膜。
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