[发明专利]半导体横向变掺杂终端结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710521739.0 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN109216430A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 张新;李巍 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体横向变掺杂终端结构及其制备方法，所述半导体横向变掺杂终端结构的制备方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上进行环光刻；通过环注入P型离子，并经过推结后形成横向变掺杂的P型耐压区域；在所述半导体衬底上沉淀形成多晶场板；经在所述多晶场板光刻及腐蚀后形成介质层沉淀；在所述介质层上沉淀形成金属场板。本发明半导体横向变掺杂终端结构及其制备方法在横向变掺杂终端结构的基础上增加了多晶场板和金属场板，从而屏蔽了终端结构表面电荷对终端可靠性的不利影响，同时该横向变掺杂终端结构兼容半导体器件工艺，不增加额外的工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 终端结构 半导体 掺杂 制备 多晶场板 衬底 沉淀形成 金属场板 介质层 光刻 半导体器件工艺 表面电荷 工艺成本 掺杂的 屏蔽 耐压 推结 沉淀 兼容 腐蚀 终端 | ||
【主权项】：
1.一种半导体横向变掺杂终端结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上进行环光刻；通过环注入P型离子，并经过推结后形成横向变掺杂的P型耐压区域；在所述半导体衬底上沉淀形成多晶场板；经在所述多晶场板光刻及腐蚀后形成介质层沉淀；在所述介质层上沉淀形成金属场板。
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