[发明专利]一种高性能FINFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710523018.3 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107393964B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种高性能FINFET器件及其制备方法，采用各向同性刻蚀‑薄膜沉积‑各向异性刻蚀的多次重复循环，在硅鳍侧壁形成多个弧形凹槽，从而提高了硅鳍的长度，根据驱动电流正比于W/L，W为硅鳍长度，L为栅极长度，由于W增大，因此，FINFET器件的驱动电流得到增大。进一步的，通过对半导体衬底进行离子注入，采用介质层沉积在沟槽内，在刻蚀出下一个沟槽之后，将介质层全部去除，从而降低鳍的宽度，提高衬底上的鳍的排布密度，降低单根鳍上的栅极长度L，进一步提高驱动电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 finfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种FINFET器件，其特征在于，FINFET器件的鳍侧壁具有多个弧形凹槽，使得覆盖于鳍上的栅极与鳍的接触界面随之呈多个弧形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710523018.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
