[发明专利]沟槽式功率半导体元件的制造方法

摘要

一种沟槽式功率半导体元件的制造方法，以形成沟槽内具有遮蔽电极以及栅极电极的沟槽式功率半导体元件。沟槽式功率半导体元件的制造方法中至少包括形成沟槽栅极结构于外延层的沟槽内。沟槽栅极结构具有遮蔽电极、位于遮蔽电极上方的栅极以及一位于遮蔽电极与栅极之间的极间介电层，且形成沟槽栅极结构的步骤至少包括：形成一覆盖所述沟槽的内壁面的绝缘层；以及在形成极间介电层的步骤之前，形成初始间隔层，其中，初始间隔层具有分别覆盖绝缘层的两个内侧壁面的第一侧壁部以及第二侧壁部，第一侧壁部的底端与第二侧壁部的底端彼此分离，且第一侧壁部以及第二侧壁部都具有凸出于所述外延层的延伸部。

主权项

1.一种沟槽式功率半导体元件的制造方法，其特征在于，所述沟槽式功率半导体元件的制造方法包括：形成一外延层于一基材上；形成一保护层于所述外延层的一表面上；形成一沟槽于所述外延层内；以及形成一沟槽栅极结构于所述沟槽内，其特征在于，所述沟槽栅极结构具有一遮蔽电极、一位于所述遮蔽电极上方的栅极以及一位于所述遮蔽电极与所述栅极之间的极间介电层，且形成所述沟槽栅极结构的步骤至少包括：形成一覆盖所述沟槽的一内壁面的绝缘层；以及在形成所述极间介电层的步骤之前，形成一初始间隔层，其中，所述初始间隔层具有分别覆盖所述绝缘层的两个内侧壁面的一第一侧壁部以及一第二侧壁部，所述第一侧壁部的底端与所述第二侧壁部的底端彼此分离，且所述第一侧壁部以及所述第二侧壁部都具有一凸出于所述保护层的延伸部。