[发明专利]一种氮化镓二极管的制备方法和氮化镓三极管的制备方法有效
| 申请号： | 201710523997.2 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107316813B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 张葶葶;朱延刚;李亦衡 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/33;H01L29/20 |
| 代理公司： | 11569 北京高沃律师事务所 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓二极管的制备方法和氮化镓三极管的制备方法。本发明提供的氮化镓二极管和氮化镓三极管的制备方法是通过在对钝化层进行刻蚀的过程中保留不合格岛对应位置的钝化层，使合格岛上方的钝化层窗口打开，而不合格岛上方的钝化层窗口保持封闭，然后在刻蚀后的钝化层上覆盖第三金属层，最终使合格岛上的第一金属层与第三金属层相连，而不合格岛上的第一金属层与第三金属层绝缘，达到将不合格岛剔除的目的，避免了钝化层窗口全部打开后重新封闭绝缘的步骤，简化了工艺，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 二极管 制备 方法 三极管 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓二极管的制备方法，包括以下步骤：/n(1)在衬底上依次生长N+氮化镓层和N-氮化镓层，然后对所述N-氮化镓层进行刻蚀，形成多个分布于N+氮化镓层表面的N-氮化镓岛；/n(2)在所述步骤(1)中的N-氮化镓岛表面覆盖第一金属层，形成金属-氮化镓岛；在N+氮化镓层表面覆盖第二金属层；/n(3)对所述步骤(2)中的金属-氮化镓岛进行电学特性测试，标记不合格岛；/n(4)在所述步骤(2)中的第一金属层和第二金属层表面覆盖钝化层，在钝化层表面覆盖正性光刻胶，然后将用于钝化层窗口开口的光刻版对应不合格岛位置的开口进行遮光处理后，覆盖于正性光刻胶表面，进行曝光，在光刻版上不合格岛对应的开口处涂覆遮光液，保留不合格岛对应位置的钝化层；/n(5)在所述步骤(4)中刻蚀后的钝化层表面覆盖第三金属层，将第三金属层分离成正极和负极，布线封装后得到氮化镓二极管。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
