[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201710524342.7 申请日: 2017-06-30
公开(公告)号: CN107634746A 公开(公告)日: 2018-01-26
发明(设计)人: 阿部佑哉;小滨考德 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H03K17/567 分类号: H03K17/567
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种半导体装置,该半导体装置具备即使在输入信号中叠加有浪涌电压、高频噪声的情况下也能够准确地判定输入信号的信号水平的输入判定电路。该半导体装置具备彼此分离的第一基准电位及第二基准电位;第三电位,其电位比第一基准电位及第二基准电位高;输入判定电路,其具有比较器和参考电压生成电路,所述比较器以第一基准电位为基准来被驱动,具有输入电压端子和参考电压端子,所述参考电压生成电路将从被插入在第二基准电位与第三电位之间的恒流源与电阻的连接点生成的参考电压输入到比较器的参考电压端子;以及第一低通滤波器,其被插入在信号输入系统与第二基准电位之间,该信号输入系统与比较器的输入电压端子连接。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具备:彼此分离的第一基准电位及第二基准电位;第三电位,其电位比所述第一基准电位及所述第二基准电位高;输入判定电路,其具有比较器和参考电压生成电路,所述比较器以所述第一基准电位为基准来被驱动,具有输入电压端子和参考电压端子,所述参考电压生成电路将从被插入在所述第二基准电位与所述第三电位之间的恒流源与电阻的连接点生成的参考电压输入到所述比较器的参考电压端子;以及第一低通滤波器,其被插入在信号输入系统与所述第二基准电位之间,所述信号输入系统与所述比较器的输入电压端子连接。
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