[发明专利]一种半导体激光器以及制作方法以及设备有效
| 申请号： | 201710525195.5 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107302184B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 张建伟;宁永强;张星;贾鹏;秦莉;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器以及制作方法以及设备，该半导体激光器包括：衬底；设置在衬底一侧的N面波导层；设置在衬底一侧且背离N面波导层的N面电极；设置在N面波导层一侧且背离衬底的发光区；设置在发光区一侧且背离N面波导层的P面波导层；设置在P面波导层一侧且背离发光区的P面盖层；设置在P面盖层一侧且背离P面波导层的P面电极；设置在P面盖层上且内嵌至P面电极中的电流阻挡层；其中，电流阻挡层将P面电极划分为多个电流注入区域，且电流注入区域的大小由P面电极的中间至两端逐步减小。该半导体激光器具备高输出功率以及高光束质量的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 以及 制作方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器包括：衬底；设置在所述衬底一侧的N面波导层；设置在所述衬底一侧且背离所述N面波导层的N面电极；设置在所述N面波导层一侧且背离所述衬底的发光区；设置在所述发光区一侧且背离所述N面波导层的P面波导层；设置在所述P面波导层一侧且背离所述发光区的P面盖层；设置在所述P面盖层一侧且背离所述P面波导层的P面电极；设置在所述P面盖层上且内嵌至所述P面电极中的电流阻挡层；其中，所述电流阻挡层将所述P面电极划分为多个电流注入区域，且所述电流注入区域的大小由所述P面电极的中间至两端逐步减小。
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